非晶硅太阳能电池是最高有希望的太阳能电池。 因而它在整个半导体太阳能电池领域中的地位正在不断上升。 从其诞生到现在,全方位世界以电力换算计太阳能电池的总生产量的约有1/3是非晶硅系太阳能电池,在民用方面几乎占据了全方位部份额。 非晶硅太阳能电池结构. 非晶硅太阳能电池的结构最高常采用的是p-i-n结构,而不是单晶硅太阳能电池的p-n结构

非晶硅太阳能电池的特点. 低成本. 1、硅材料用料少,可充分吸收光,单晶要200μ厚,非晶1μ厚 (非晶硅光吸收系数大)。 2、主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷,这种气体,化学 工业 可大量供应,且十分便宜,制造一瓦非晶硅太阳能电池的原材料本约RMB3.5-4 (效率高于6%)。 3、晶体硅太阳电池的基本厚度为240-270um,相差200

采用roll to roll技术来制备大面积柔性衬底非晶硅太阳能电池,有以下关键技术问题需要解决：非晶硅薄膜的高速沉积;大面积薄膜生长时的均匀性;各反应室间气体隔离装置的开发;实时监控与诊断等等。

只有能隙中定域密 度小于lUI"一1(11''rV的非晶硅才叮作太阳能电池。 具有较高 的光吸收系数但光电性有退化现象。 用于制作毫瓦级、非阳 光直接曝晒的场合,如手表、计算器等的电池。

近日,经德国哈梅林太阳能研究所（ISFH）权威认证报告,隆基绿能自主研发的背接触晶硅异质结太阳电池（HeterojunctionBackContact,HBC）,利用全方位激光图形化可量产制程工艺获得27.09%的电池转换效率,创造单结晶硅太阳能电池效率的新世界纪录。

目前,用来发电的半导体材料主要有： 单晶硅 、 多晶硅 、 非晶硅 及 碲化镉 等。 由于近年来各国都在积极推动 可再生能源 的应用,光伏产业的发展十分迅速。 截至2010年,太阳能光伏在全方位世界上百个国家投入使用。 虽然其发电容量仍只占人类用电总量的很小一部分,不过,从2004年开始,接入电网的光伏发电量以年均60%的速度增长。

薄膜SC被称为第二代SC制造技术。非晶硅（a-Si）薄膜太阳能电池因其低成本发电的能力而在光伏研究中获得了相当大的关注。同样在 a-Si SC 的制造中需要较少量的 Si。在这篇评论文章中,我们研究了 a-Si SC 的类型,即氢化非晶硅 (a-Si:H) SC 和氢化非晶硅

光伏发电技术路线主要包括晶体硅太阳能电池、薄膜太阳能电池（包括非晶硅a-Si,铜铟镓硒CIGS、碲化镉CdTe电池三种类型）、III-V族半导体化合物电池（以砷化镓GaAs电池为代表）、染料敏化太阳能电池。

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对于太阳能电池来说最高重要的参数是转换效率,目前在实验室所研发的硅基太阳能电池中（并非 硅空气电池 （ 英语 ： Silicon–air battery ） ）,单晶硅电池效率为25.0%,多晶硅电池效率为20.4%,CIGS薄膜电池效率达19.8%,CdTe薄膜电池效率达19.6%,非晶